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Datensatz Zitierlink: 
http://hdl.handle.net/20.500.12708/72994
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Titel: 
Local Oxide Capacitance as a Crucial Parameter for Characterization of Hot-Carrier Degradation in High-Voltage n-MOSFET
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Zitat: 
Starkov, I., Enichlmair, H., & Grasser, T. (2012). Local Oxide Capacitance as a Crucial Parameter for Characterization of Hot-Carrier Degradation in High-Voltage n-MOSFET. In Abstract Booklet (p. 40). http://hdl.handle.net/20.500.12708/72994
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Publikationstyp: 
Konferenzbeitrag - Full-Paper Contribution
de
Autor_innen: 
Starkov, Ivan 
Enichlmair, H. 
Grasser, Tibor 
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Organisations­einheit: 
E360 - Institut für Mikroelektronik 
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Erschienen in: 
Abstract Booklet 
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Datum (veröffentlicht): 
2012
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Veranstaltungs­name: 
Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM) 
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Veranstaltungs­zeitraum: 
26-Jun-2006 - 28-Jun-2006
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Veranstaltungs­ort: 
Catania, EU
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Umfang: 
1
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Peer Reviewed: 
Nein
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Wissenschafts­zweig: 
Elektrotechnik, Elektronik
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Enthalten in den Sammlungen:
Conference Paper

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