Forschungsbereich Optoelektronische Materialien

Organization Name (de) Name der Organisation (de)
E362-01 - Forschungsbereich Optoelektronische Materialien
 
Code Kennzahl
E362-01
 
Type of Organization Organisationstyp
Research Division
Parent OrgUnit Übergeordnete Organisation
 
Active Aktiv
 


Results 181-200 of 258 (Search time: 0.002 seconds).

PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
181Hillbrand, Johannes ; Bertrand, Mathieu ; Wittwer, Valentin ; Opacak, Nikola ; Kapsalidis, Filippos ; Schwarz, Benedikt ; Südmeyer, Thomas ; Beck, Matthias ; Faist, J. Optical injection locking enables coherent dual-comb spectroscopyKonferenzbeitrag Inproceedings2021
182Böckle, R ; Lugstein, Alois ; Rellinghaus, Bernd ; Lipovec, Boris ; Pohl, Darius ; Sistani, Masiar ; Weber, Walter M. A Top‐Down Platform Enabling Ge Based Reconfigurable TransistorsKonferenzbeitrag Inproceedings2021
183Sistani, Masiar ; Lugstein, Alois ; Eysin, Kilian ; Bartmann, Maximilian Georg ; Böckle, R ; Weber, Walter M. Gate‐Tunable Negative Differential Resistance in Next‐Generation Ge Nanodevices and their Performance MetricsKonferenzbeitrag Inproceedings2021
184Beiser, Maximilian ; Opacak, Nikola ; Schwarz, Benedikt ; Hillbrand, Johannes ; Strasser, Gottfried Engineering the spectral bandwidth of quantum cascade laser frequency combsKonferenzbeitrag Inproceedings2021
185Jaidl, Michael ; Opacak, Nikola ; Kainz, Martin Alexander ; Schönhuber, Sebastian ; Theiner, Dominik ; Limbacher, Benedikt ; Beiser, Maximilian ; Giparakis, Miriam ; Andrews, Aaron Maxwell ; Strasser, Gottfried ; Schwarz, Benedikt ; Darmo, Juraj ; Unterrainer, Karl Comb Operation in Terahertz Quantum Cascade Ring LasersKonferenzbeitrag Inproceedings2021
186Böckle, Raphael ; Sistani, Masiar ; Eysin, Kilian ; Bartmann, Maximilian G. ; Luong, Minh Anh ; den Hertog, Martien I. ; Lugstein, Alois ; Weber, Walter M. Gate-Tunable Negative Differential Resistance in Next-Generation Ge Nanodevices and their Performance MetricsArtikel Article 2021
187Simon, Maik ; Mizuta, Ryo ; Fan, Ye ; Tahn, Alexander ; Pohl, Darius ; Trommer, Jens ; Hofmann, Stephan ; Mikolajick, Thomas ; Weber, Walter M. Lateral Extensions to Nanowires for Controlling Nickel Silicidation Kinetics: Improving Contact Uniformity of Nanoelectronic DevicesArtikel Article 2021
188Opačak, Nikola ; Cin, Sandro Dal ; Hillbrand, Johannes ; Schwarz, Benedikt Frequency Comb Generation by Bloch Gain Induced Giant Kerr NonlinearityArtikel Article 2021
189Song, Zehao ; Sistani, Masiar ; Wind, Lukas ; Pohl, Darius ; Rellinghaus, Bernd ; Weber, Walter M ; Lugstein, Alois Plasmon-assisted polarization-sensitive photodetection with tunable polarity for integrated silicon photonic communication systemsArtikel Article 2021
190Delaforce, Jovian ; Sistani, Masiar ; Kramer, Roman B. G. ; Luong, Minh A. ; Roch, Nicolas ; Weber, Walter M. ; den Hertog, Martien I. ; Robin, Eric ; Naud, Cecile ; Lugstein, Alois ; Buisson, Olivier Al-Ge-Al Nanowire Heterostructure: From Single-Hole Quantum Dot to Josephson EffectArtikel Article 2021
191Sistani, Masiar ; Böckle, Raphael ; Falkensteiner, David ; Luong, Minh Anh ; den Hertog, Martien I. ; Lugstein, Alois ; Weber, Walter M. Nanometer-Scale Ge Based Adaptable Transistors Providing Programmable Negative Differential Resistance Enabling Multi Valued LogicArtikel Article 2021
192Sistani, Masiar ; Böckle, Raphael ; Bartmann, Maximilian G. ; Lugstein, Alois ; Weber, Walter M. Bias-Switchable Photoconductance in a Nanoscale Ge Photodetector Operated in the Negative Differential Resistance RegimeArtikel Article 2021
193David, M. ; Dabrowska, A. ; Sistani, M. ; Doganlar, I. C. ; Hinkelmann, E. ; Detz, H. ; Weber, W. M. ; Lendl, B. ; Strasser, G. ; Hinkov, B. Octave-spanning low-loss mid-IR waveguides based on semiconductor-loaded plasmonicsArtikel Article 2021
194Sistani, Masiar ; Böckle, Raphael ; Wind, Lukas ; Eysin, Kilian ; Maeder, Xavier ; Schweizer, Peter ; Michler, Johann ; Lugstein, Alois ; Weber, Walter M. Polycrystalline Ge Nanosheets Embedded in Metal‐Semiconductor Heterostructures Enabling Wafer‐Scale 3D Integration of Ge Nanodevices with Self‐Aligned Al ContactsArtikel Article 2021
195Wind, Lukas ; Sistani, Masiar ; Song, Zehao ; Maeder, Xavier ; Pohl, Darius ; Michler, Johann ; Rellinghaus, Bernd ; Weber, Walter M. ; Lugstein, Alois Monolithic Metal−Semiconductor−Metal Heterostructures Enabling Next-Generation Germanium NanodevicesArtikel Article 2021
196Schwarz, Benedikt ; Opacak, Nikola ; Dal Cin, Sandro ; Hillbrand, Johannes Frequency combs enabled by Bloch gain in quantum cascade lasersKonferenzbeitrag Inproceedings2021
197Frank, Felix ; Baumgartner, Bettina ; David, Mauro ; Doganlar, Cem Ismael ; Strasser, Gottfried ; Hinkov, Borislav ; Ramer, Georg ; Lendl, Bernhard Development of a micromolar sensitivity dipstick mid-IR ATR sensor for phosphate in waterPräsentation Presentation2021
198Dabrowska, Alicja ; David, Mauro ; Schwaighofer, Andreas ; Freitag, Stephan ; Andrews, Aaron Maxwell ; Strasser, Gottfried ; Hinkov, Borislav ; Lendl, Bernhard Broadband Mid-Infrared Sensor employing a Quantum Cascade Laser and a Quantum Cascade Detector for Milk Protein AnalysisPräsentation Presentation2021
199Dabrowska, Alicja ; David, Mauro ; Schwaighofer, Andreas ; Freitag, Stephan ; Andrews, Aaron Maxwell ; Strasser, Gottfried ; Hinkov, Borislav ; Lendl, Bernhard Broadband Mid-Infrared Spectroscopy employing a Quantum Cascade Laser and a Quantum Cascade Detector for Milk Protein AnalysisPräsentation Presentation2021
200Böckle, R ; Sistani, Masiar ; Weber, Walter M. Ge-based Reconfigurable Transistors: A Platform Enabling Negative Differential ResistancePräsentation Presentation2021