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Kaczer, Ben
 

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1Waltl, Michael ; Knobloch, Theresia ; Tselios, Konstantinos ; Filipovic, Lado ; Stampfer, Bernhard ; Hernandez, Yoanlys ; Waldhör, Dominic ; Illarionov, Yury ; Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor Perspective of 2D Integrated Electronic Circuits: Scientific Pipe Dream or Disruptive Technology?Artikel Article 2022
2Illarionov, Yury ; Knobloch, Theresia ; Waltl, Michael ; Smets, Q ; Panarella, L ; Kaczer, Ben ; Schram, Tom ; Brems, S ; Cott, D. ; Asselberghs, Inge ; Grasser, Tibor Top Gate Length Dependence of Hysteresis in 300mm FAB MoS2 FETsPräsentation Presentation2022
3Michl, Jakob ; Grill, Alexander ; Waldhoer, Dominic ; Goes, Wolfgang ; Kaczer, Ben ; Linten, Dimitri ; Parvais, Bertrand ; Govoreanu, Bogdan ; Radu, Iuliana ; Grasser, Tibor ; Waltl, Michael Efficient Modeling of Charge Trapping at Cryogenic Temperatures-Part II: ExperimentalArtikel Article 2021
4Michl, Jakob ; Grill, Alexander ; Waldhoer, Dominic ; Goes, Wolfgang ; Kaczer, Ben ; Linten, Dimitri ; Parvais, Bertrand ; Govoreanu, Bogdan ; Radu, Iuliana ; Waltl, Michael ; Grasser, Tibor Efficient Modeling of Charge Trapping at Cryogenic Temperatures-Part I: TheoryArtikel Article 2021
5Franco, J. ; Marneffe, J.-F. ; Vandooren, Anne ; Arimura, H ; Ragnarsson, L. A. ; Claes, Dieter ; Litta, Eugenio Dentoni ; Horiguchi, N. ; Croes, Kristof ; Linten, D ; Grasser, Tibor ; Kaczer, Ben Low Temperature Atomic Hydrogen Treatment for Superior NBTI Reliability -- Demonstration and Modeling across SiO2 IL Thicknesses from 1.8 to 0.6 nm for I/O and Core LogicKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
6Franco, J. ; Marneffe, J.-F. ; Vandooren, Anne ; Kimura, Y ; Nyns, L ; Wu, Zhicheng ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; Waldhör, Dominic ; Claes, Dieter ; Arimura, H ; Ragnarsson, L. A. ; Afanas´Ev, V. ; Horiguchi, N. ; Linten, D ; Grasser, Tibor ; Kaczer, Ben Atomic Hydrogen Exposure to Enable High-Quality Low-Temperature SiO<sub>2</sub> with Excellent pMOS NBTI Reliability Compatible with 3D Sequential Tier StackingKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
7Stampfer, Bernhard ; Simicic, Marko ; Weckx, Pieter ; Abbasi, Arash ; Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor ; Waltl, Michael Extraction of Statistical Gate Oxide Parameters From Large MOSFET ArraysArtikel Article 2020
8Makarov, Alexander ; Roussel, Philippe ; Bury, Erik ; Vandemaele, Michiel ; Spessot, Alessio ; Linten, Dimitri ; Kaczer, Ben ; Tyaginov, Stanislav Correlated Time-0 and Hot-Carrier Stress Induced FinFET Parameter Variabilities: Modeling ApproachArtikel Article 2020
9Waltl, Michael ; Stampfer, Bernhard ; Rzepa, Gerhard ; Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor Separation of Electron and Hole Trapping Components of PBTI in SiON nMOS TransistorsArtikel Article 2020
10Tyaginov, Stanislav ; Grill, Alexander ; Vandemaele, Michiel ; Grasser, Tibor ; Hellings, Geert ; Makarov, Alexander ; Jech, Markus ; Linten, Dimitri ; Kaczer, Ben A Compact Physics Analytical Model for Hot-Carrier DegradationKonferenzbeitrag Inproceedings 2020
11Wu, Zhicheng ; Franco, Jacopo ; Vandooren, Anne ; Kaczer, Ben ; Roussel, Philippe ; Rzepa, Gerhard ; Grasser, Tibor ; Linten, Dimitri ; Groeseneken, Guido Improved PBTI Reliability in Junction-Less FET Fabricated at Low Thermal Budget for 3-D Sequential IntegrationArtikel Article Jun-2019
12Makarov, Alexander ; Kaczer, Ben ; Roussel, Philippe ; Chasin, A ; Vandemaele, Michiel ; Hellings, Geert ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; Grasser, Tibor ; Linten, D ; Tyaginov, S. E. Simulation Study: the Effect of Random Dopants and Random Traps on Hot-Carrier Degradation in nFinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
13Tyaginov, S. E. ; Chasin, A ; Makarov, Alexander ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; De Keersgieter, An ; Eneman, G. ; Vandemaele, Michiel ; Franco, J. ; Linten, D ; Kaczer, Ben Physics-based Modeling of Hot-Carrier Degradation in Ge NWFETsKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
14Wu, Zhicheng ; Franco, Jacopo ; Claes, Dieter ; Rzepa, Gerhard ; Roussel, Philippe J. ; Collaert, Nadine ; Groeseneken, Guido ; Linten, Dimitri ; Grasser, Tibor ; Kaczer, Ben Accelerated Capture and Emission (ACE) Measurement Pattern for Efficient BTI Characterization and ModelingKonferenzbeitrag Inproceedings2019
15Makarov, Alexander ; Roussel, Philippe ; Bury, Erik ; Vandemaele, Michiel ; Spessot, Alessio ; Linten, Dimitri ; Kaczer, Ben ; Tyaginov, Stanislav On Correlation between Hot-Carrier Stress Induced Device Parameter Degradation and Time-Zero VariabilityKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
16Makarov, Alexander ; Kaczer, Ben ; Roussel, Philippe ; Chasin, A ; Vandemaele, Michiel ; Hellings, Geert ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Jech, Markus ; Grasser, Tibor ; Linten, D ; Tyaginov, S. E. Stochastic Modeling of Hot-Carrier Degradation in nFinFETs Considering the Impact of Random Traps and Random DopantsKonferenzbeitrag Inproceedings 2019
17Makarov, Alexander ; Kaczer, Ben ; Chasin, Adrian ; Vandemaele, Michiel ; Bury, Erik ; Jech, Markus ; Grill, Alexander ; Hellings, Geert ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Grasser, Tibor ; Linten, Dimitri ; Tyaginov, Stanislav Bi-Modal Variability of nFinFET Characteristics During Hot-Carrier Stress: A Modeling ApproachArtikel Article 2019
18Makarov, Alexander ; Kaczer, Ben ; Roussel, Philippe ; Chasin, Adrian ; Grill, Alexander ; Vandemaele, Michiel ; Hellings, Geert ; El-Sayed, Al-Moatasem ; Grasser, Tibor ; Linten, Dimitri ; Tyaginov, Stanislav Stochastic Modeling of the Impact of Random Dopants on Hot-Carrier Degradation in n-FinFETsArtikel Article 2019
19Vandemaele, Michiel ; Kaczer, Ben ; Tyaginov, Stanislav ; Stanojevic, Zlatan ; Makarov, Alexander ; Chasin, Adrian ; Bury, Erik ; Mertens, Hans ; Linten, Dimitri ; Groeseneken, Guido Full ($V_{\mathrm{g}},\ V_{\mathrm{d}}$) Bias Space Modeling of Hot-Carrier Degradation in Nanowire FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2019
20Tyaginov, Stanislav ; El-Sayed, Al-Moatasem Bellah ; Makarov, Alexander ; Chasin, A ; Arimura, H ; Vandemaele, Michiel ; Jech, Markus ; Capogreco, Elena ; Witters, L. ; Grill, Alexander ; De Keersgieter, An ; Eneman, G. ; Linten, Dimitri ; Kaczer, Ben Understanding and Physical Modeling Superior Hot-Carrier Reliability of Ge pNWFETsKonferenzbeitrag Inproceedings 2019