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Henkel, Christoph
 
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1Bethge, O. ; Zimmermann, C. ; Lutzer, B. ; Simsek, S. ; Smoliner, J. ; Stöger-Pollach, M. ; Henkel, C. ; Bertagnolli, E. Effective reduction of trap density at the Y203/Ge interface by rigorous high-temperature oxygen annealingArtikel Article 2014
2Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Lutzer, Bernhard ; Henkel, Christoph ; Bertagnolli, Emmerich ALD-grown Rare Earth Oxides: Effective Passivation of the Germanium Channel in MOS devicesKonferenzbeitrag Inproceedings2013
3Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Henkel, Christoph ; Bertagnolli, Emmerich ALD grown germanates for effective passivation of the Ge surfacePräsentation Presentation2013
4Bethge, Ole ; Zimmermann, Christina ; Lutzer, Bernhard ; Henkel, Christoph ; Bertagnolli, Emmerich Electrical and Physical Characterization of Interfacial Germanates in Ge-based MOS devicesPräsentation Presentation2013
5Bethge, O. ; Henkel, Christoph ; Abermann, S. ; Pozzovivo, G. ; Stoeger-Pollach, M. ; Werner, W.S.M. ; Smoliner, J. ; Bertagnolli, E. Stability of La₂O₃ and GeO₂ passivated Ge surfaces during ALD of ZrO₂ high-k dielectricArtikel Article 2012
6Bethge, O ; Pozzovivo, G ; Henkel, Christoph ; Abermann, S ; Bertagnolli, E Fabrication of highly ordered nanopillar arrays and defined etching of ALD-grown all-around platinum filmsArtikel Article 2012
7Henkel, Christoph ; Hellström, Per-Erik ; Östling, Mikael ; Stöger-Pollach, Michael ; Bethge, Ole ; Bertagnolli, Emmerich Impact of oxidation and reduction annealing on the electrical properties of Ge/La2O3/ZrO2 gate stacksArtikel Article 2012
8Alexewicz, A. ; Ostermaier, C. ; Henkel, C. ; Bethge, O. ; Carlin, J.-F. ; Lugani, L. ; Grandjean, N. ; Bertagnolli, E. ; Pogany, D. ; Strasser, G. Explanation of threshold voltage scaling in enhancement-mode InAlN/AlN-GaN metal oxide semiconductor high electron mobility transistors on Si substratesArtikel Article 2012
9Alexewicz, Alexander ; Ostermaier, C ; Henkel, Christoph ; Bethge, Ole ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Pogany, Dionyz ; Bertagnolli, Emmerich ; Strasser, Gottfried E-Mode InAlN/AlN-GaN MOS-HEMTs on Si SubstratesPräsentation Presentation2012
10Bethge, Ole ; Henkel, Christoph ; Abermann, Stephan ; Hutter, H. ; Smoliner, Jürgen ; Bertagnolli, Emmerich Impact of the ALD process on the inversion capacitance in Ge based MOS capacitorsPräsentation Presentation2012
11Burchhart, T ; Zeiner, C ; Lugstein, A ; Henkel, C ; Bertagnolli, E Tuning the electrical performance of Ge nanowire MOSFETs by focused ion beam implantationArtikel Article2011
12Henkel, C. ; Abermann, S. ; Bethge, O. ; Pozzovivo, G. ; Klang, P. ; Stöger-Pollach, M. ; Bertagnolli, E. Schottky barrier SOI-MOSFETs with high-k La2O3/ZrO2 gate dieelectricsArtikel Article2011
13Alexewicz, Alexander ; Ostermaier, Clemens ; Henkel, Christoph ; Bethge, Ole ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Pogany, Dionyz ; Bertagnolli, Emmerich ; Strasser, Gottfried Dependence of the threshold voltage on oxide interlayer Thickness in E-mode InAlN/AlN GaN-MOS-HEMTs on Si substratePräsentation Presentation2011
14Alexewicz, Alexander ; Ostermaier, Clemens ; Henkel, Christoph ; Bethge, Ole ; Carlin, Jean-François ; Gonschorek, Marcus ; Grandjean, Nicolas ; Pogany, Dionyz ; Bertagnolli, Emmerich ; Strasser, Gottfried Threshold Voltage Scaling In E-Mode Inaln/aln-Gan Hemts On Si SubstratesKonferenzbeitrag Inproceedings2011
15Bethge, Ole ; Abermann, Stephan ; Henkel, Christoph ; Stöger-Pollach, Michael ; Smoliner, Jürgen ; Bertagnolli, Emmerich ALD grown La2O3 for Ge-based MOS-device applicationsPräsentation Presentation2011
16Bethge, O. ; Abermann, S. ; Henkel, C. ; Smoliner, J. ; Bertagnolli, E. ; Straif, C. J. ; Hutter, H. Atomic layer deposition temperature dependent minority carrier generation in ZrO2 /GeO2 /Ge capacitorsArtikel Article 2011
17Henkel, Christoph ; Hellström, Per-Erik ; Östling, Mikael ; Bethge, Ole ; Stöger-Pollach, Michael ; Bertagnolli, Emmerich Impact of Oxidation and Reduction Annealing on the Electrical Properties of Ge/La2O3/ZrO2 Gate StacksKonferenzbeitrag Inproceedings2011
18Henkel, C. ; Abermann, S. ; Bethge, O. ; Pozzovivo, G. ; Klang, P. ; Reiche, M. ; Bertagnolli, E. Ge p-MOSFETs With Scaled ALD 𝙻𝚊₂𝙾₃/𝚉𝚛𝙾₂ Gate DielectricsArtikel Article Dec-2010
19Lugstein, Alois ; Steinmair, Mathias ; Henkel, Christoph ; Bertagnolli, Emmerich In place growth of vertical Si nanowires for surround gated MOSFETs with self aligned contact formationPräsentation Presentation2010
20Bethge, O. ; Abermann, S. ; Henkel, C. ; Straif, C. J. ; Hutter, H. ; Smoliner, J. ; Bertagnolli, E. Process temperature dependent high frequency capacitance-voltage response of ZrO₂/GeO₂/germanium capacitorsArtikel Article2010