Electron Mobility Model for Strained-Si Devices

Dhar, Siddhartha; Kosina, Hans; Palankovski, Vassil; Ungersböck, Stephan Enzo; Selberherr, Siegfried

doi:10.1109/ted.2005.844788

Datensatz Zitierlink:

http://hdl.handle.net/20.500.12708/171469

Titel:

Electron Mobility Model for Strained-Si Devices

Zitat:

Dhar, S., Kosina, H., Palankovski, V., Ungersböck, S. E., & Selberherr, S. (2005). Electron Mobility Model for Strained-Si Devices. IEEE Transactions on Electron Devices, 52(4), 527–533. https://doi.org/10.1109/ted.2005.844788

Verlags-DOI:

10.1109/ted.2005.844788

CatalogPlus:

AC05935315

Publikationstyp:

Artikel - Forschungsartikel

Sprache:

Englisch

Autor_innen:

Dhar, Siddhartha
Kosina, Hans
Palankovski, Vassil
Ungersböck, Stephan Enzo
Selberherr, Siegfried

Organisationseinheit:

E360 - Institut für Mikroelektronik

Zeitschrift:

IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN:

0018-9383

Datum (veröffentlicht):

2005

Umfang:

Verlag:

IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC

Peer Reviewed:

Keywords:

Electrical and Electronic Engineering; Electronic, Optical and Magnetic Materials

Forschungsschwerpunkte:

Computational Materials Science: 80%
Modelling and Simulation: 20%

Wissenschaftszweig:

Elektrotechnik, Elektronik

Enthalten in den Sammlungen:

Article

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