Characterization of Al-Defects in 4H-SiC MOSFETs

Zenz, Keanu

doi:10.34726/hss.2025.126074

Record link:

https://doi.org/10.34726/hss.2025.126074
http://hdl.handle.net/20.500.12708/209832

Title:

Characterization of Al-Defects in 4H-SiC MOSFETs

Citation:

Zenz, K. (2025). Characterization of Al-Defects in 4H-SiC MOSFETs [Diploma Thesis, Technische Universität Wien]. reposiTUm. https://doi.org/10.34726/hss.2025.126074

reposiTUm DOI:

10.34726/hss.2025.126074

CatalogPlus:

AC17418918

Publication Type:

Thesis - Diplomarbeit

Language:

English

Authors:

Zenz, Keanu

Advisor:

Stöger-Pollach, Michael

Co-advisor:

Waltl, Michael

Organisational Unit:

E138 - Institut für Festkörperphysik

Date (published):

2025

Number of Pages:

Keywords:

SiC-MOSFET; Al-Defekte; SiO2-SiC Grenzflächen

SiC-MOSFET; Al-defects; SiO2-SiC interfaces

Additional information:

Arbeit an der Bibliothek noch nicht eingelangt - Daten nicht geprueft - gesperrte Arbeit (bis 2025-12-23+01:00)
Abweichender Titel nach Übersetzung der Verfasserin/des Verfassers

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Thesis

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