Datensatz Zitierlink: 
https://doi.org/10.34726/hss.2025.126074
http://hdl.handle.net/20.500.12708/209832
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Titel: 
Characterization of Al-Defects in 4H-SiC MOSFETs
en
Zitat: 
Zenz, K. (2024). Characterization of Al-Defects in 4H-SiC MOSFETs [Diploma Thesis, Technische Universität Wien]. reposiTUm. https://doi.org/10.34726/hss.2025.126074
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reposiTUm-DOI: 
10.34726/hss.2025.126074
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CatalogPlus: 
AC17418918
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Publikationstyp: 
Hochschulschrift - Diplomarbeit
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Zenz, Keanu 
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Betreuer_in: 
Stöger-Pollach, Michael 
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Mitbetreuer_innen: 
Waltl, Michael 
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Organisations­einheit: 
E138 - Institut für Festkörperphysik 
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Datum (veröffentlicht): 
2024
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Umfang: 
62
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Keywords: 
SiC-MOSFET; Al-Defekte; SiO2-SiC Grenzflächen
de
 
SiC-MOSFET; Al-defects; SiO2-SiC interfaces
en
Weitere Information: 
Abweichender Titel nach Übersetzung der Verfasserin/des Verfassers
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Lizenz: 
Urheberrechtsschutz
de
Enthalten in den Sammlungen:
Thesis

Zenz Keanu - 2025 - Characterization of Al-Defects in 4H-SiC MOSFETs.pdf
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Open Access
Embargo. Zugriff ab 31.12.2025
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