CD-Labor für Nichtflüchtige magnetisch-resistive Speicher und Logik


Project Acronym Projekt Kurzbezeichnung
CDL_NovoMemLog
 
Project Title (de) Projekttitel (de)
CD-Labor für Nichtflüchtige magnetisch-resistive Speicher und Logik
 
Project Title (en) Projekttitel (en)
CD-Laboratory for Nonvolatile Magnetoresistive Memory and Logic
 
Consortium Coordinator Koordinator des Konsortiums
 
Principal Investigator Projektleiter_in
 
Funder/Funding Agency Fördergeber
Christian Doppler Forschungsgesells
Grant number Förderkennnummer
P300686
 

Filter:
Author:  Selberherr, Siegfried

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PreviewAuthor(s)TitleTypeIssue Date
1Jorstad-2024-PHYSICA B-CONDENSED MATTER-vor.pdf.jpgJorstad, Nils Petter ; Fiorentini, Simone ; Ender, Johannes ; Wolfgang Goes ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor Micromagnetic modeling of SOT-MRAM dynamicsArticle Artikel 1-Mar-2024
2Hadamek, Tomas ; Jorstad, Nils Petter ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor Numerical study of two-terminal SOT-MRAMArticle Artikel 15-Jan-2024
3Bendra, Mario ; Jorstad, Nils Petter ; Lacerda de Orio, Roberto ; Selberherr, Siegfried ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Unified Modeling of Ultra-Scaled STT-MRAM Cells: Harnessing Parasitic Effects for Enhanced Data Storage DynamicsInproceedings Konferenzbeitrag 9-Dec-2023
4Sverdlov, Viktor ; Bendra, Mario ; Jorstad, Nils Petter ; Pruckner, Bernhard ; Hadamek, Tomas ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried Multi-bit Operation in an MRAM Cell with a Composite Free LayerInproceedings Konferenzbeitrag 3-Dec-2023
5Hadamek, Tomas ; Jorstad, Nils Petter ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor Study of Self-Heating and its Effects in SOT-STT-MRAMInproceedings Konferenzbeitrag20-Nov-2023
6Sverdlov, Viktor ; Selberherr, Siegfried Charge and Spin Transport in Semiconductor DevicesInproceedings Konferenzbeitrag 24-Oct-2023
7Bendra-2023-Solid-State Electronics-vor.pdf.jpgBendra, Mario ; Fiorentini, Simone ; Selberherr, Siegfried ; Gös, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor A multi-level cell for ultra-scaled STT-MRAM realized by back-hoppingArticle Artikel Oct-2023
8Jorstad, Nils Petter ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor Spin Drift-Diffusion Boundary Conditions for FEM Modeling of Multilayer SOT DevicesInproceedings KonferenzbeitragSep-2023
9Sverdlov, Viktor ; Bendra, Mario ; Pruckner, Bernhard ; Fiorentini, Simone ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried Comprehensive Modeling of Advanced Composite Magnetoresistive DevicesInproceedings Konferenzbeitrag Sep-2023
10Bendra, Mario ; Lacerda de Orio, Roberto ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor ; Selberherr, Siegfried Modeling of Ultra-Scaled Magnetoresistive Random Access MemoryInproceedings Konferenzbeitrag Sep-2023
11Hadamek-2023-Micromachines-vor.pdf.jpgHadamek, Tomas ; Jorstad, Nils Petter ; Lacerda de Orio, Roberto ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor A Comprehensive Study of Temperature and Its Effects in SOT-MRAM DevicesArticle Artikel Aug-2023
12Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor Technology Computer-Aided Design: A Key Component of Microelectronics' DevelopmentBook Contribution Buchbeitrag 3-Jul-2023
13Jorstad, Nils Petter ; Fiorentini, Simone ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor Micromagnetic Modeling of SOT-MRAM DynamicsInproceedings Konferenzbeitrag 4-Jun-2023
14Bendra, Mario ; Fiorentini, Simone ; Selberherr, Siegfried ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Simulation of Spin-Torque and Magnetization Dynamics in STT-MRAM Multi-Level CellsInproceedings Konferenzbeitrag 4-Jun-2023
15Hadamek, Tomas ; Jorstad, Nils Petter ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor Numerical study of two-terminal SOT-MRAMInproceedings Konferenzbeitrag 4-Jun-2023
16Pruckner, Bernhard ; Fiorentini, Simone ; Jorstad, Nils Petter ; Hadamek, Tomas ; Selberherr, Siegfried ; Gös, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Switching Performance of Mo-based pMTJ and dsMTJ StructuresInproceedings KonferenzbeitragJun-2023
17Bendra, Mario ; Fiorentini, Simone ; Ender, Johannes ; Lacerda de Orio, Roberto ; Hadamek, Tomas ; Jorstad, Nils Petter ; Pruckner, Bernhard ; Selberherr, Siegfried ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Back-Hopping in Ultra-Scaled MRAM CellsInproceedings Konferenzbeitrag 22-May-2023
18Bendra, Mario ; Fiorentini, Simone ; Selberherr, Siegfried ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor A Multi-Level Cell for Ultra-Scaled STT-MRAM Realized by Back-HoppingInproceedings Konferenzbeitrag 10-May-2023
19Bendra-2023-Solid-State Electronics-vor.pdf.jpgBendra, Mario ; Fiorentini, Simone ; Goes, Wolfgang ; Selberherr, Siegfried ; Sverdlov, Viktor The Influence of Interface Effects on the Switching Behavior in Ultra-Scaled MRAM CellsArticle Artikel Mar-2023
20Bendra, Mario ; Fiorentini, Simone ; Hadamek, Tomas ; Jorstad, Nils Petter ; Ender, Johannes ; Lacerda de Orio, Roberto ; Selberherr, Siegfried ; Goes, Wolfgang ; Sverdlov, Viktor Switching Composite Free Layers in Ultra-Scaled MRAM CellsInproceedings Konferenzbeitrag12-Feb-2023