Datensatz Zitierlink: 
http://hdl.handle.net/20.500.12708/141634
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Titel: 
Tunneling Effects in NH₃ Annealed 4H-SiC Trench MOSFETs
en
Zitat: 
Berens, J. V., Pobegen, G., & Grasser, T. (2020). Tunneling Effects in NH₃ Annealed 4H-SiC Trench MOSFETs. Materials Science Forum, 1004, 652–658. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1004.652
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Verlags-DOI: 
10.4028/www.scientific.net/msf.1004.652
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Publikationstyp: 
Artikel - Forschungsartikel
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Berens, Judith Veronika 
Pobegen, Gregor 
Grasser, Tibor 
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Organisations­einheit: 
E360 - Institut für Mikroelektronik 
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Zeitschrift: 
Materials Science Forum 
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ISSN: 
0255-5476
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Datum (veröffentlicht): 
Jul-2020
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Umfang: 
7
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Verlag: 
Trans Tech Publications Ltd.
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Peer Reviewed: 
Ja
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Keywords: 
Mechanical Engineering; Mechanics of Materials; Condensed Matter Physics; General Materials Science
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Forschungs­schwerpunkte: 
Nanoelectronics: 100%
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Wissenschafts­zweig: 
Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik
Nanotechnologie
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Enthalten in den Sammlungen:
Article

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