Datensatz Zitierlink: 
https://doi.org/10.34726/hss.2016.38201
http://hdl.handle.net/20.500.12708/18010
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Titel: 
Experimental characterization of bias temperature instabilities in modern transistor technologies
en
Zitat: 
Waltl, M. (2016). Experimental characterization of bias temperature instabilities in modern transistor technologies [Dissertation, Technische Universität Wien]. reposiTUm. https://doi.org/10.34726/hss.2016.38201
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reposiTUm-DOI: 
10.34726/hss.2016.38201
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CatalogPlus: 
AC13328705
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Publikationstyp: 
Hochschulschrift - Dissertation
de
Sprache: 
Englisch
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Autor_innen: 
Waltl, Michael 
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Betreuer_in: 
Grasser, Klaus-Tibor 
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Organisations­einheit: 
E360 - Institut für Mikroelektronik 
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Datum (veröffentlicht): 
2016
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Umfang: 
158
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Keywords: 
Reliability; Bias Temperature Instabilities; pMOSFET; nMOSFET; NBTI; PBTI; TDDS
en
Weitere Information: 
Zusammenfassung in deutscher Sprache
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Lizenz: 
Urheberrechtsschutz
de
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