IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)

Event name
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
 
Start date
01-06-2014
End date
05-06-2014
 
Location
Waikoloa, HI, USA
Country
 
Event format Veranstaltungsformat
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Publications Publikationen

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PreviewAuthors / EditorsTitleTypeIssue Date
1Tyaginov, Stanislav ; Grill, Alexander ; Vandemaele, Michiel ; Grasser, Tibor ; Hellings, Geert ; Makarov, Alexander ; Jech, Markus ; Linten, Dimitri ; Kaczer, Ben A Compact Physics Analytical Model for Hot-Carrier DegradationKonferenzbeitrag Inproceedings 2020
2Wu, Zhicheng ; Franco, Jacopo ; Claes, Dieter ; Rzepa, Gerhard ; Roussel, Philippe J. ; Collaert, Nadine ; Groeseneken, Guido ; Linten, Dimitri ; Grasser, Tibor ; Kaczer, Ben Accelerated Capture and Emission (ACE) Measurement Pattern for Efficient BTI Characterization and ModelingKonferenzbeitrag Inproceedings2019
3Kaczer, Ben ; Rzepa, Gerhard ; Franco, J. ; Weckx, P. ; Chasin, A ; Putcha, Vamsi ; Bury, E. ; Simicic, Marko ; Roussel, Ph. J. ; Hellings, Geert ; Veloso, A. ; Matagne, Ph ; Grasser, Tibor ; Linten, D Benchmarking Time-Dependent Variability of Junctionless Nanowire FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2017
4Chasin, A ; Franco, J. ; Kaczer, Ben ; Putcha, Vamsi ; Weckx, P. ; Ritzenthaler, Romain ; Mertens, H. ; Horiguchi, N. ; Linten, D ; Rzepa, Gerhard BTI Reliability and Time-Dependent Variability of Stacked Gate-All-Around Si Nanowire TransistorsKonferenzbeitrag Inproceedings2017
5Grill, A. ; Stampfer, B. ; Waltl, M. ; Im, Ki-Sik ; Lee, J.-H. ; Ostermaier, C. ; Ceric, H. ; Grasser, T. Characterization and modeling of single defects in GaN/AlGaN fin-MIS-HEMTsKonferenzbeitrag Inproceedings 2017
6Grasser, Tibor ; Stampfer, Bernhard ; Waltl, Michael ; Rzepa, Gerhard ; Rupp, Karl ; Schanovsky, Franz ; Pobegen, G. ; Puschkarsky, Katja ; Reisinger, H. ; O´Sullivan, B. J. ; Kaczer, Ben Characterization and Physical Modeling of the Temporal Evolution of Near-Interfacial States Resulting from NBTI/PBTI Stress in nMOS/pMOS TransistorsKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
7Grasser, T. ; O'Sullivan, B. ; Kaczer, B. ; Franco, J. ; Stampfer, B. ; Waltl, M. CV Stretch-Out Correction after Bias Temperature Stress: Work-Function Dependence of Donor-/Acceptor-Like Traps, Fixed Charges, and Fast StatesKonferenzbeitrag Inproceedings 2021
8Waltl, Michael Defect Spectroscopy in SiC DevicesKonferenzbeitrag Inproceedings2020
9Rzepa, Gerhard ; Franco, J. ; Subirats, A ; Jech, Markus ; Chasin, A ; Grill, Alexander ; Waltl, Michael ; Knobloch, Theresia ; Stampfer, Bernhard ; Chiarella, T. ; Horiguchi, N. ; Ragnarsson, L. A. ; Linten, D ; Kaczer, Ben ; Grasser, Tibor Efficient Physical Defect Model Applied to PBTI in High-κ StacksKonferenzbeitrag Inproceedings2017
10Vandemaele, Michiel ; Kaczer, Ben ; Tyaginov, Stanislav ; Stanojevic, Zlatan ; Makarov, Alexander ; Chasin, Adrian ; Bury, Erik ; Mertens, Hans ; Linten, Dimitri ; Groeseneken, Guido Full ($V_{\mathrm{g}},\ V_{\mathrm{d}}$) Bias Space Modeling of Hot-Carrier Degradation in Nanowire FETsKonferenzbeitrag Inproceedings2019
11O'Sullivan, B.J. ; Ritzenthaler, R. ; Rzepa, G. ; Wu, Z. ; Litta, E. Dentoni ; Richard, O. ; Conard, T. ; Machkaoutsan, V. ; Fazan, P. ; Kim, C. ; Franco, J. ; Kaczer, B. ; Grasser, T. ; Spessot, A. ; Linten, D ; Horiguchi, N. Gate-Stack Engineered NBTI Improvements in Highvoltage Logic-For-Memory High-ĸ/Metal Gate DevicesKonferenzbeitrag Inproceedings2019
12Ruch, Bernhard ; Pobegen, Gregor ; Schleich, Christian ; Grasser, Tibor Generation of Hot-Carrier Induced Border and Interface Traps, Investigated by Spectroscopic Charge PumpingKonferenzbeitrag Inproceedings 2020
13Grasser, Tibor ; Waltl, Michael ; Puschkarsky, Katja ; Stampfer, Bernhard ; Rzepa, Gerhard ; Pobegen, G. ; Reisinger, H. ; Arimura, H ; Kaczer, Ben Implications of Gate-Sided Hydrogen Release for Post-Stress Degradation Build-Up after BTI StressKonferenzbeitrag Inproceedings2017
14Makarov, A. ; Kaczer, B. ; Roussel, Ph. ; Chasin, A. ; Grill, A. ; Vandemaele, M. ; Hellings, G. ; El-Sayed, A.-M. ; Grasser, T. ; Linten, D. ; Tyaginov, S. Modeling the Effect of Random Dopants on Hot-Carrier Degradation in FinFETsKonferenzbeitrag Inproceedings2019
15Kruv, A. ; Kaczer, B. ; Grill, A ; Gonzalez, M. ; Franco, J. ; Linten, D. ; Goes, W. ; Grasser, T. ; De Wolf, I. On the impact of mechanical stress on gate oxide trappingKonferenzbeitrag Inproceedings 2020
16Suhir, Ephraim ; Bensoussan, Alain ; Khatibi, G. ; Nicolics, Johann Probabilistic Design for Reliability in Electronics and Photonics: Role, Significance, Attributes, ChallengesKonferenzbeitrag Inproceedings2014
17Michl, J. ; Grill, A. ; Claes, D. ; Rzepa, G. ; Kaczer, B. ; Linten, D. ; Radu, I. ; Grasser, T. ; Waltl, M. Quantum Mechanical Charge Trap Modeling to Explain BTI at Cryogenic TemperaturesKonferenzbeitrag Inproceedings 2020
18Grill, A. ; Bury, E. ; Michl, J. ; Tyaginov, S. ; Linten, D. ; Grasser, T. ; Parvais, B. ; Kaczer, B. ; Waltl, M. ; Radu, I. Reliability and Variability of Advanced CMOS Devices at Cryogenic TemperaturesKonferenzbeitrag Inproceedings2020
19Illarionov, Yury ; Molina- Mendoza, Aday J. ; Waltl, Michael ; Knobloch, Theresia ; Furchi, Marco Mercurio ; Mueller, T. ; Grasser, Tibor Reliability of next-generation field-effect transistors with transition metal dichalcogenidesKonferenzbeitrag Inproceedings 2018
20Illarionov, Yu. Yu. ; Waltl, M. ; Furchi, M. M. ; Mueller, T. ; Grasser, T. Reliability of single-layer MoS<inf>2</inf> field-effect transistors with SiO<inf>2</inf> and hBN gate insulatorsKonferenzbeitrag Inproceedings 2016